日本OMRON光电传感器型号列表

光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类:(1 )在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等;(2 )在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等;(3 )在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏应，如光电池等。

光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类：外光电效应、内光电效应及光生伏应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。

光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。

光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号(可见及紫外镭射光)转变成为电信号的器件。

E2E-X2D1-M1TGJ-U-Z 0.3M
E2E-X2D2-M1TGJ-U-Z 0.3M
E2E-X2D1-M1TGJ 0.3M
E2E-X2D1-U-Z 2M
E2E-X2D2-U-Z 2M
E2E-X2D1-N-Z 2M
E2E-X2D2-N-Z 2M
E2E-X2D1-M1G-Z
E2E-X2D2-M1G-Z
E2E-X2D1-M3G-Z
E2E-X2D2-M3G-Z
E2E-X3D1-M1TGJ-U-Z 0.3M
E2E-X3D2-M1TGJ-U-Z 0.3M
E2E-X3D1-M1TGJ 0.3M
E2E-X3D1-U-Z 2M
E2E-X3D2-U-Z 2M
E2E-X3D1-N-Z 2M
E2E-X3D2-N-Z 2M
E2E-X3D1-M1G-Z
E2E-X3D2-M1G-ZASCO SMC BURKERT NORGREN FESTO CKD 力士乐 PARKER 威格士非常有外，另增加MURR KOGANEI,OMRON, PILZ ,BANNER MAC IFM 盖米 菲尼克斯 TURCK ATOS PALL HYDAC等进口品牌。

日本OMRON光电传感器型号列表